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HTC One M9 跑分評測:Snapdragon 810 早期工程機單核 1232 / 多核 3587,落後 Exynos 5433

HTC One M9 渲染圖

背景

2015 年 3 月 HTC 發布旗艦 One M9 (代號 Hima),搭載高通首款 64 位旗艦 SoC **Snapdragon 810 (MSM8994)**。Geekbench 3 資料庫出現型號 `HTC OPJA10` 早期工程機跑分,揭露初期效能表現。

關鍵規格 (工程機)

  • 螢幕:5 吋 1080p (非傳聞 2K)
  • SoC:Snapdragon 810 (4x Cortex-A57 2.0 GHz + 4x Cortex-A53 1.5 GHz)
  • 記憶體:3 GB LPDDR4
  • 相機:後 2070 萬 + 前 1300 萬像素
  • 系統:Android 5.0.1
  • 電池:2840 mAh (傳聞)

Geekbench 3 跑分結果

項目分數備註
單核1232Cortex-A57 單核效能
多核35878 核心全開

橫向對比 (同期旗艦)

機型 / SoC單核多核製程
Samsung Galaxy S6 (Exynos 7420 / 5433 早期版)~1450-1500~5000-520014nm FinFET
iPhone 6 (Apple A8)~1630~290020nm
HTC One M9 (Snapdragon 810 工程機)1232358720nm (TSMC)

分析與後續發展

  • 早期 810 **散熱/節流嚴重**,多核分數遠低於預期 (理論應達 4500+),單核也落後 A57 參考設計。
  • 量產版經優化 (v2.1 修訂) 後多核可達 ~4200-4500,但過熱爭議贏得「火龍 810」綽號,導致 LG G4、Sony Xperia Z4 等機型改用 808/810 降頻版。
  • HTC One M9 實際上市版透過散熱模組優化與降頻策略,實測多核約 4000-4300,日常體驗尚可,但持續高負載 (遊戲、4K 錄影) 明顯降頻發熱。
  • 此代碼名 `OPJA10` 為工程驗證機 (EVT/DVT),非最終量產規格,分數僅供參考。
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