網傳「128G iPhone 6/Plus 莫名崩潰恐大規模召回」，引發用戶恐慌，尤其買頂配 128G 的用戶。報導稱：NAND FLASH MEMORY IC 控制單元故障，蘋果為省成本用廉價 NAND TLC 而非較貴更快的 MLC，裝超 700 個 App 會自動崩潰，iOS 8.1 未解決，屬硬體問題。

NAND TLC/MLC FLASH MEMORY 是什麼？

FLASH MEMORY 為閃存設備，手機重要儲存介質，東芝 1984 年發明。分 NOR/NAND 兩類。NOR 為第一代（Intel 1988 商用），因抹寫慢、成本高被 NAND 取代。NAND 同由東芝發明，1988 年 ISSCC 發布，抹寫快、單元面積小、儲存密度高、成本低、可抹除次數高出 NOR 十倍。

儲存單元：SLC（1bit/cell）快/久/貴（~10萬次）；MLC（2bit/cell）中/中/中（~3千-1萬次）；TLC（3bit/cell，也稱 8LC）慢/短/便宜（~500-1000次）。廠商現稱 3-bit MLC。

iPhone 到底用什麼 FLASH？

韓媒稱用 TLC 且 IC 故障。查閱 iFixit 拆機：16G 真機用韓國海力士 NAND，型號 H2JTDG8UD1BMS（紅框處）。

此顆歸類為 E2NAND 3.0，SK Hynix 與 Anobit 合作（Anobit 已被蘋果收購，致力提升閃存穩定）。TechInsights 明確規範為 NAND MLC FLASH MEMORY。

韓媒失實：iPhone 6 Plus 用的是 MLC 非 TLC。IC 是否有問題官方未回應，其他媒體也無反映，待進一步確認。

新聞背後

最早見於韓媒 BusinessKorea，引用內容均來自蘋果論壇同一用戶（159 篇討論帖全反映 128G 自動崩潰）。BusinessKorea 顯著缺失：事實不足、證據單一、說服力低，未查真實元件即下結論。

蘋果官方已表態：不存在 128G 大規模崩潰/召回。筆者實測偶有崩潰但極少見，多為越獄插件衝突，日常/媒體未見高頻崩潰。128G 土豪用戶放心，媒體請負責勿盲目轉載博眼球。