針對進階 BIOS 參數（記憶體時序、快取控制、電壓等）提供中英文對照與功能說明，適合超頻/進階調校參考。

• Above 1MB Memory Test： 開機檢測 1MB 以上記憶體（新版 BIOS 已移除）。
• Auto Configuration： 允許時 BIOS 自動依最佳時序設定記憶體，建議啟用。
• Memory Test Tick Sound： 記憶體檢測滴答聲開關。
• Memory Parity Error Check： 記憶體奇偶校驗（舊 30-pin 記憶體用，現已淘汰）。
• Cache Memory Controller： 快取控制器啟用（Award BIOS 較少見）。
• Shadow RAM Option： 系統/顯示卡 BIOS 映射至常規記憶體（可加速但可能導致死機）。
• Internal Cache Memory： CPU 內建 L1 快取啟用（提升效能）。
• External Cache Memory： 主板 L2 快取啟用（AMD 雙快取架構下變相為 L3）。
• Concurrent Refresh： CPU I/O 操作時同步重新整理記憶體（提升效能）。
• DRAM Read/Write Wait State： CPU 讀/寫記憶體等待週期（記憶體較慢時增加等待）。
• Slow Refresh： 優質記憶體可延長重新整理週期提升效能。
• Shadow Cacheable： 映射至記憶體的 BIOS ROM 加快取（更進一步加速）。
• Page Mode / Page Interleaved： 記憶體分頁/交錯模式。
• RAS Timeout Counter： 監控 RAS 週期防止超時自動歸零。
• Memory Relocation： 將 384KB 上方記憶體轉存至 1MB 以上擴充記憶體。
• Memory Hole： 保留 15-16MB 給特殊 ISA 擴充卡（通常停用）。
• DRAM Timing Setting： FPM/EDO 記憶體速度選擇（60/70ns，SDRAM 無效）。
• Fast MA to RAS Delay： 記憶體位址到 RAS 訊號延遲。
• DRAM Write Burst Timing： CPU 寫入快取後再寫入記憶體的延遲。
• Fast RAS to CAS Delay： RAS 到 CAS 訊號延遲（RAS# 下降到 CAS# 下降時間）。
• DRAM Lead-Off Timing： CPU 讀/寫記憶體前置時間。
• DRAM Speculative Read： 允許提前一週期讀取記憶體（提升效能）。
• DRAM Data Integrity Mode： 校驗模式 Parity/ECC 選擇。
• Refresh RAS Assertion： 記憶體 RAS 重新整理斷言週期（優質記憶體可延後）。
• RAS Recharge Period： RAS 訊號預充電時間。
• Fast EDO Path Select： EDO 記憶體快速存取路徑選擇。
• SDRAM RAS Latency： SDRAM RAS 到 CAS 延遲。
• SDRAM RAS Timing： SDRAM RAS 觸發時序（重新整理時間）。
• Peer Concurrency： 讓 CPU 對快取/記憶體/PCI 等並行操作（智能度越高並行越多）。

調整前請詳閱主板說明書，錯誤設定可能導致系統不穩或無法開機。