1. 單面/雙面 vs 單 Bank/雙 Bank

單面/雙面：記憶體晶片分佈在 PCB 單面或雙面。
單/雙 Bank：從物理理解為北橋到記憶體的通道，通常每通道 64bit。主板效能取決於晶片組，支援 Bank 數不同（如 Intel 82845 支援 4 Bank，SiS 645 支援 6 Bank）。主板只支援 4 Bank 卻用 6 Bank 會浪費。雙面不一定是雙 Bank，也可能是單 Bank，須注意區分。

2. 記憶體 2-2-3 參數含義

BIOS 中記憶體時序參數，依序為：

• tRP（Time of Row Precharge，RAS 預充電時間），數值越小越好
• tRCD（Time of RAS to CAS Delay，RAS 到 CAS 延遲），數值越小越好
• CL（CAS Latency，CAS 延遲），縱向位址脈衝反應時間，衡量支援不同規範記憶體的重要指標

3. 雙通道技術 vs 單通道

雙通道 DDR 技術非 DDRII，而是讓 2 條 DDR 記憶體共同使用、資料並行傳輸。優勢：記憶體頻寬在原基礎上增加一倍。P4 400MHz FSB 頻寬 3.2GB/s、533MHz FSB 達 4.3GB/s，但除 i850E 支援 Rambus PC1066 外，無記憶體能滿足處理器需求（常用 DDR333 僅 2.7GB/s）。

4. DDR-II vs 當前 DDR 記憶體

DDR-II 相對主流 DDR-I，工作時脈預計 400MHz+。市場將從 DDR-333 直接過渡到 DDR-II。特點：

• 0.13 微米製程，容量 18/36/72MB，最大 288MB，位元組架構 x8/x18/x36
• 讀取反應時間 2.5 時脈週期
• 將 DLL（延遲鎖定迴路）設計進記憶體（類 Rambus 理念），資料輸出效率提升 ~65%
• 傳送方式每週期 32 位元組，可隨頻率提升達更高性能
• 已知規格：系統記憶體 400MHz(4.8GB/s)、533MHz(5.6GB/s)、667MHz(6.4GB/s)；顯卡 800MHz、1000MHz
• 全在 1.8V 工作，單條至少 512MB
• 腳位 200/220/240pin FBGA 封裝，與現行 DDR 不相容