據 EBN 報導，Hynix 指出中國市場出現仿冒 133MHz 128MB 記憶體。工程師拆解確認為台灣封裝，但業界指出台灣大廠不可能為仿冒品封裝。Hynix 要求經正規管道採購，誓言打擊仿冒。拆解發現仿冒品商標屬各大品牌，疑為收集退貨 DRAM 重打商標經黑市銷售。

原廠記憶體條特徵

• 6 層 PCB 板
• 記憶體顆粒精良、精密電阻細小整齊、整體佈線合理
• 金手指明亮牢固、焊接工藝優良
• SPD 在背面而非正面
• PCB 正面最左「HYUNDAI KOREA」字樣，背面中央偏左「PCSDRAM...」字樣
• 板型比普通 HY 記憶體 PCB 寬

HY 現代 SDRAM 芯片標識格式

• HY 原廠：HY 開頭，如 HY57V658010C TC-10s
• 收購 LGS 產：GM 開頭，如 GM72V66841GT75
• 市場常見 LGS 產格式：GM72V xx xx 1 x T/x -xx
  • 前兩 xx：容量（16=16MB、66=64MB、28=128MB）
  • 後兩 xx：速度——7=143MHz(PC133)；7.5=133MHz(PC133)；T-H=133MHz(PC133)；8=125MHz；T-S=100MHz(PC100)；7K=100MHz(CL2,PC100)；7J=100MHz(CL3,PC100)；10K=100MHz(PC66)

可見 -10K 非 PC100、-7J/-7K 非 PC133、-8 性能優於 -7K/-7J。常見尾數 7/75[GM] 和 T-H[HY] 的 PC133 產品。

HY PC133 SDRAM 打假

韓國現代電子去年起停止數字結尾編號（-10S、-7J、-75），全面改英文字母編號。常見 T-S（PC100 顆粒）、T-H（PC133 顆粒），取代常見 -7J/K 和 -75。市場有將 PC100 標準 T7J/T7K 打磨成 T75 冒充 PC133。拿不準時，買 0040 週以前 T75、0040 以後 T-H 芯片的 HY 條，一般不會錯。

真假對比圖解

項目	假貨	真品
生產日期	只有 -7J，128M 日期 9951；MIGRON-8E 型號與 Micron 官網不符，有打磨痕跡	集中 0002-0003，0003 為 -7J，0002 為 -75
字跡	很細、淺黃、像抹黃粉、不牢固、整體不清晰、需側視、文字凹刻	黃偏棕、字體粗、寬窄一致、噴印非凹刻、手感微突出、指甲能留痕、無需轉角度即清晰
顆粒表面	光滑、能反光、手感滑、極小麻點	粗糙、強光下無反光、細看有許多小點（噴沙效果）、摸起粗糙
PCB 板	翠綠、有透明感、導線粗糙窄細、明顯浮在表面	綠色非翠綠、無透明感、佈線均勻、無明顯導線邊緣反光