BIOS 設定介面全英文參數常讓使用者望而卻步。本文整理 Award/AMI 常見 BIOS 參數的中英對照與功能說明，涵蓋記憶體時序、快取控制、電源管理、影子 RAM、PCI/AGP 設定等核心類別，助你精準調校系統穩定度與效能。
記憶體檢測與校驗類
| 英文參數 | 中文說明 | 建議設定 |
|---|
| Above 1MB Memory Test | 1MB 以上記憶體檢測 | Disabled (加快開機) |
| Memory Test Tick Sound | 記憶體檢測滴答聲 | Disabled |
| Memory Parity Error Check | 記憶體奇偶校驗 | Disabled (現代非奇偶校驗記憶體) |
| DRAM Data Integrity Mode | 記憶體資料完整性模式 | Non-Parity / ECC (視記憶體支援) |
快取控制類
| 英文參數 | 中文說明 | 建議設定 |
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| Internal Cache Memory | CPU 內部快取 (L1) | Enabled |
| External Cache Memory | CPU 外部快取 (L2/主板 L3) | Enabled |
| Cache Memory Controller | 快取記憶體控制器 | Enabled |
| Shadow Cacheable | 影子 BIOS 快取 | Enabled (提升 BIOS 執行速度) |
記憶體時序與延遲類 (手動調校核心)
| 英文參數 | 中文說明 | 典型值/說明 |
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| DRAM Read/Write Wait State | 讀/寫等待狀態 | 記憶體較慢時增加等待週期 |
| Fast RAS to CAS Delay | RAS 到 CAS 延遲 (tRCD) | 2-3T (降低提升效能，過低不穩) |
| DRAM RAS Precharge Time | RAS 預充電時間 (tRP) | 同 tRCD |
| DRAM RAS Latency | RAS 潛伏期 (tRAS) | tRCD + tRP + 1 以上 |
| SDRAM CAS Latency | CAS 潛伏期 (CL) | 2/2.5/3 (視記憶體規格) |
| Fast MA to RAS Delay | 記憶體位址到 RAS 延遲 | 通常 1-2T |
| DRAM Write Burst Timing | 寫入突發時序 | Enabled 提升寫入效能 |
| DRAM Speculative Read | 投機性讀取 | Enabled (提前一週期讀取) |
| SDRAM RAS Latency | SDRAM RAS 延遲 | 對應 tRCD |
| SDRAM RAS Timing | SDRAM RAS 時序 | 刷新週期設定 |
進階記憶體功能
| 英文參數 | 中文說明 | 建議 |
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| Concurrent Refresh | 並行重新整理 | Enabled (CPU 操作 I/O 時同步刷新記憶體) |
| Slow Refresh | 緩慢刷新 | 優質記憶體可啟用延長刷新週期 |
| Refresh RAS Assertion | 刷新 RAS 斷言 | 優質記憶體可延遲刷新 |
| Page Mode / Page Interleaved | 頁模式/頁交錯模式 | Page Interleaved (雙通道較佳) |
| Memory Relocation | 記憶體重新定位 | Enabled (將 UMB 移至 1MB 以上) |
| Memory Hole (15-16MB) | 記憶體空洞 | Disabled (除非舊 ISA 卡需求) |
| Fast EDO Path Select | EDO 快速路徑選擇 | Enabled (EDO 記憶體專用) |
影子 RAM 與系統 ROM 映射
| 英文參數 | 中文說明 | 建議 |
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| Shadow RAM Option | 影子 RAM 選項 | System BIOS / Video BIOS Enabled |
| System BIOS Shadow | 系統 BIOS 影子 | Enabled |
| Video BIOS Shadow | 顯示卡 BIOS 影子 | Enabled |
| Shadow Cacheable | 影子區域可快取 | Enabled |
其他常見參數
- Auto Configuration：自動依最佳值設定時序，啟用後鎖定手動調整項，建議 Enabled (新手) / Disabled (超頻者)。
- Peer Concurrency：同級並行，允許 CPU/快取/PCI 並行操作，提升系統智能並行度，建議 Enabled。
- DRAM Timing Setting：快頁/EDO 記憶體速度選擇 (60/70ns)，對 SDRAM/DDR 無效。
調校黃金法則
- 穩定優於效能：每次只改一項，通過 MemTest86+ / Prime95 長測無誤再改下一項。
- 記錄預設值：進 BIOS 前拍照或記錄原值，失敗可載入預設值 (Load Optimized Defaults) 恢復。
- 電壓配合：降低時序通常需適度提高 VDIMM 電壓，勿超過記憶體規格上限 (DDR 通常 ≤ 2.8V)。
- 散熱到位：高頻/低時序記憶體發熱大，確保記憶體散熱片/風扇有效。