1. 單面 vs 雙面、單 Bank vs 雙 Bank
- 單面/雙面: 物理上顆粒分佈在 PCB 一面或兩面。
- 單/雙 Bank: 邏輯上北橋到記憶體的 64-bit 通道數。
例:Intel 82845 支援 4 Bank,SiS 645 支援 6 Bank。
主板只支援 4 Bank 卻插 6 Bank → 多出 2 Bank 浪費。
雙面 ≠ 雙 Bank,也可能是單 Bank(高密度顆粒),購買前必確認。
2. 時序參數 2-2-3 代表什麼?
BIOS 中依序為:
- tRP (RAS Precharge Time): 預充電時間,越小越快。
- tRCD (RAS to CAS Delay): 行列延遲,越小越快。
- CL (CAS Latency): 列位址脈衝延遲,衡量記憶體速度關鍵指標之一。
數值越低效能越強,但穩定性要求越高,超頻才需手動調整,預設通常最穩。
3. 雙通道 vs 單通道
- 雙通道 DDR: 兩條 DDR 並行傳輸,頻寬翻倍(理論 ×2)。
- P4 400MHz FSB 頻寬 3.2 GB/s,533MHz FSB 達 4.3 GB/s。
單條 DDR333 僅 2.7 GB/s,嚴重瓶頸。
雙通道 DDR333 → 5.4 GB/s,完美滿足 P4 需求。
- 需主板/晶片組支援,且兩條記憶體規格、容量、時序最好完全一致。
4. DDR2 vs DDR 差異總表
| 項目 | DDR (DDR1) | DDR2 |
| 工作頻率 | 最高 400MHz (DDR400) | 400/533/667/800MHz+ |
| 頻寬 | 最高 3.2 GB/s | 4.8/6.4/8.5/10.6 GB/s |
| 電壓 | 2.5V | 1.8V(省電、低發熱) |
| 封裝/腳位 | 184-pin DIMM | 200/220/240-pin FBGA,不相容 DDR |
| 內部架構 | 2-bit 預取 | 4-bit 預取,內建 DLL 延遲鎖定迴路,資料效率提升 65% |
| 單條容量 | 通常 ≤ 1GB | 起跳 512MB,主流 1-2GB |
選購小撇步
- 看主板 QVL 支援清單,買上面的型號最保險。
- 雙通道請買「雙通道套裝組」(同批次、同時序、經廠商配對測試)。
- 不確定時序參數 → BIOS 保持「Auto/SPD」,別亂改。
搞懂這四大觀念,記憶體升級不再踩雷,效能最大化!
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