DDR-SDRAM 簡介
DDR SDRAM（SDRAM II）雙邊緣傳輸，實際頻寬倍增。PC266 (133MHz×2) 性能在 InQuest 測試超越 Rambus 24.4%，Micron 測試亦優於其他高頻寬方案，足以抗衡 Rambus。
SDRAM 三大核心指標
- 系統時脈週期：決定最高運行頻率。10ns = 100MHz。數值越小頻率越高。現代 PC100 標 -10 表 10ns。
- 存取時間：讀取資料延遲。常見 6/7/8/10ns。不可與時脈週期混淆。高士達 PC100 標 -7 表存取 7ns，但時脈仍 10ns（100MHz）。
- CAS Latency (CL)：列位址脈衝反應時間。CL2=2 週期、CL3=3 週期。可寫入 SPD 供 BIOS 自動讀取。
三指標互制：存取時間快通常犧牲 CL 性能。評估必須綜合三者，不可只看晶片標示 -6/-7/-8/-10。三星已改用字母標示存取時間避免誤解。
效能估算範例（100MHz 系統，週期 10ns）
- 現代 PC100：存取 8ns、CL2 → 總延遲 = 2×10 + 8 = 28ns
- 同條 CL3、存取 6ns → 總延遲 = 3×10 + 6 = 36ns
- CL2 明顯快於 CL3。
選購建議
- 常見晶片品牌：現代、三星、LG、NEC、東芝、西門子、TI。觀察晶片表面印字清晰度、標稱速度、產地。
- 品牌指晶片非記憶體條：金士頓等僅封裝他廠晶片，同晶片不同封裝廠品質差異大。看 PCB 工藝：六層板、色澤均勻、邊緣整齊、手感重。
- 主流 LGS 已被 HY 取代，常見型號
GM72V66841ET7J (8×8 顆粒)。
- 市面 PC133 多為 CAS3，真 CAS2 尚待時日。
- KingMax/樵風金條：專利封裝、無偽貨、性能優，好選擇。