一、單面 vs 雙面、單 Bank vs 雙 Bank 差異

單面/雙面指記憶體顆粒分佈：單面顆粒僅在 PCB 一側，雙面則分佈兩側。Bank（通道）則是北橋到記憶體的資料通道（通常 64-bit）。不同晶片組支援 Bank 數不同，如 Intel 82845 支援 4 Bank，SiS 645 支援 6 Bank。注意：雙面不等於雙 Bank，雙面記憶體也可能是單 Bank 設計，購買時需確認規格書。

二、記憶體時序 2-2-3 代表什麼？

BIOS 中常見的「2-2-3」依序為：

• tRP (RAS Precharge Time)：RAS 預充電時間，越小越好。
• tRCD (RAS to CAS Delay)：RAS 到 CAS 延遲，越小越好。
• CL (CAS Latency)：行位址閃爍延遲，衡量記憶體回應速度的關鍵指標之一。

數值越低代表存取延遲越短，效能越強，但穩定性要求也越高。

三、雙通道與單通道技術差異

雙通道 DDR 技術讓兩條記憶體並行傳輸資料，理論頻寬提升一倍。對 Pentium 4 等高頻寬需求處理器極為重要：

• 400MHz FSB P4 需 3.2GB/s 頻寬
• 533MHz FSB P4 需 4.3GB/s 頻寬
• DDR333 單通道僅 2.7GB/s，嚴重瓶頸

雙通道可有效緩解處理器與記憶體頻寬落差。

四、DDR2 與 DDR 差異

DDR2 為 DDR 後繼規格，主要差異：

項目	DDR	DDR2
工作電壓	2.5V	1.8V（省電）
頻率範圍	最高 DDR400	400/533/667MHz 起跳
頻寬	最高 3.2GB/s	4.8~6.4GB/s
封裝腳位	184-pin	200/220/240-pin FBGA
相容性	—	與 DDR 完全不相容

DDR2 內建 DLL（延遲鎖定迴路），資料輸出效率提升約 65%，單條容量起跳 512MB。