隨著 CPU 狂飆，記憶體成決定整機效能關鍵。系統性掌握記憶體基礎知識，DIY 選購不再盲目。本文全方位解析記憶體分類、核心指標、主流與未來技術路線。

一、儲存器分類

• 主記憶體 (主存/內存/RAM)： 直接與 CPU 交換數據，斷電資料消失。
• 輔助記憶體 (外存)： 磁性/光學介質，長期保存，不需電力維持。

二、記憶體 (RAM) 功能分類

• ROM (唯讀)： 固化程式 (監控、編譯、系統表格)，唯讀不可改。
• EPROM (可改寫 ROM)： 特殊裝置可擦寫，用於軟體開發。
• RAM (隨機存取/內存)： 存放輸入輸出數據、中間結果、與外存交換、堆疊用。可讀寫改寫，斷電揮發。主流為 MOS 半導體：
  — **SRAM (靜態)**：雙穩態觸發器，快、貴、低密度 → 用於 Cache。
  — **DRAM (動態)**：閘極電容存儲、需定時刷新、高密度、低功耗、低成本 → **主記憶體主流**。

顯卡、聲卡、CMOS 等也大量使用記憶體作緩存或存固定程式。

三、核心技術指標

• 腳位數： 對應介面類型 (DIMM/RIMM 等)，不贅述。
• 容量： 決定系統效能關鍵。須以完整存儲體為單位安裝，與資料總線位數相關。主流 64/128MB，圖形工作站 512MB-1GB+。
• 存取速度 (ns)： 5/6/7/8/10ns，值越小越快越貴。**必須匹配 CPU 時脈週期**：記憶體慢拖垮 CPU、快則浪費，DIY 切勿忽視。
• 奇偶校驗位： 保證大量運算數據正確性。標準記憶體可能有/無，非標準均帶校驗。同機器內存條**要么全帶、要么全不帶**，不可混用。CMOS 設定必須與實際一致。

四、現在與未來：SDRAM 稱霸，DDR/RDRAM 爭霸

SDRAM (同步 DRAM) — 現任霸主

• PC100/PC133 規範，64-bit 匯流排、3.3V、最快 5ns。
• 與 CPU 同時脈同步交換數據，零延遲等待。

DDR SDRAM (雙倍速率) — 強勢挑戰者

• 利用時脈上升/下降沿雙邊傳輸，**133MHz 總線即達 2.128GB/s 頻寬**。
• 採 2.5V SSTL2 標準 (非 3.3V LVTTL)。
• 沿用 SDRAM 生產線，成本僅增 ~10%，性價比極高。

RDRAM (Direct Rambus) — Intel 挺的未來之星

• 引入 RISC 精簡指令集，靠高時脈 (≥300MHz) 簡化單週期數據量。
• 16-bit 數據通道，雙邊傳輸：單通道 1.2GB/s、雙通道 2.4GB/s。
• 腳位定義隨指令動態變化 (同組腳位可作地址/控制線)，腳位數仅傳統 DRAM 1/3，擴容只改指令不加腳位。
• RIMM 插槽必須插滿，空槽需插終端器。

結語

SDRAM 當道，DDR 以兼容性與成本優勢強勢上位，RDRAM 憑高頻寬獲 Intel 青睞。未來屬於 DDR 與 RDRAM 的雙雄對決，選購前先看主板支援再決定。