硬件教室－－內存小知識在線閱讀

　　當今的計算機，CPU的速度越來越快 性能越來越高，CPU的主頻幾個月就能翻一番，上到一個新高度，然而為了能讓微機發揮出最大的效能，內存作為個人電腦硬件的必要組成部分之一，它的地位越發重要起來。在現在看來，內存的容量與性能已成為決定微機整體性能的一個決定性因素，因此多了解一些關於內存方面的知識是很有必要的，本文將就內存方面的知識進行一些介紹。
1.存儲器的分類：
　　內存是存儲器的一種。存儲器是計算機的重要組成部分，按其用途可分為主存儲器（MainMemory，簡稱主存）和輔助存儲器（Auxiliary Memory，簡稱輔存），主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質或光盤，能長期保存信息，並且不依賴於電來保存信息。
2．內存的分類：
　　內存的物理實質是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路。內存按存儲信息的功能可分為只讀存儲器ROM（Read Only Memory） 可改寫的只讀存儲器EPROM（Erasable Programmable ROM）和隨機存儲器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用於存放固定的程序，如監控程序 匯編程序等，以及存放各種表格。EPROM和一般的ROM不同點在於它可以用特殊的裝置擦除和重寫它的內容，一般用於軟件的開發過程。RAM就是我們平常所說的內存，主要用來存放各種現場的輸入 輸出數據，中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息和作堆棧用。它的存儲單元根據具體需要可以讀出，也可以寫入或改寫。由於RAM由電子器件組成，所以只能用於暫時存放程序和數據，一旦關閉電源或發生斷電，其中的數據就會丟失。現在的RAM多為MOS型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上的電荷會洩漏，需要定時給與補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高 功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常采用動態RAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用靜態RAM。另外，內存還應用於顯卡 聲卡及CMOS等設備中，用於充當設備緩存或保存固定的程序及數據。
3．有關內存的常見技術指標：
　　接下來我們來談談有關內存的人們普遍關心的各種技術指標，一般包括引腳數 容量 速度 奇偶校驗等。引腳數可以歸為內存模組的接口類型，這裡不再贅述。容量這一指標是我們比較關心的，因為它將直接制約系統的整體性能。另外，內存條是否以完整的存儲體（Bank）為單位安裝將決定內存能否正常工作，這與計算機的數據總線位數是相關的，不同機型的計算機，其數據總線的位數是不同的。內存條通常有16MB 32MB 64MB 128MB 256MB等容量級別，其中64MB 128MB內存已成為當前的主流配置，而用於諸如圖形工作站的內存容量已高達512MB或1G，甚至更高。內存條芯片的存取時間是內存的另一個重要指標，其單位以納秒（ns）度量，換算關系為 1ns = 10-3us = 10-6ms = 10-9s 。常見的有5 6 7 8 10ns等幾種，這個數值越小，存取速度越快，但價格也便隨之上升。在選配內存時，應盡量挑選與CPU 時鐘周期相匹配的內存條，這將有利於最大限度的發揮內存條的效率。內存慢而主板快，會影響CPU的速度，還有可能導致系統崩潰；內存快而主板慢，結果只能是大材小用。所以，對於DIY一族決不應忽視對內存條的選購。內存條有無奇偶校驗位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗對於保證數據的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在進行數據量非常大的計算中。標准型的內存條有的有校驗位，有的沒有；非標准的內存條均有奇偶校驗位。另外，對於常見機型中，有無奇偶校驗位一般均可正常工作，但需要注意的是，在CMOS的SETUP中的設置必須與實際的內存條情況相一致，同時，這也導致一台計算機中內存條的配置要麼都帶奇偶校驗位，要麼都不帶，決不可混用。
4．目前和未來的的內存
　　目前在市場上還是SDRAM占統治地位，是目前的主流內存。但是隨著內存技術蓬勃發展，幾個大廠商都在加緊自己新型內存技術的發展，其中尤以RDRAM和DDR的較量最為激烈，可以預料未來將是RDRAM和DDR的天下。
　　下面將分別介紹這幾種內存。
　　SDRAM：SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步動態隨機存儲器”，這就是目前主推的PC100和PC133規范所廣泛使用的內存類型，它的帶寬為64bit，3.3 V電壓，目前產品的最高速度可達5ns。它是與CPU使用相同的時鐘頻率進行數據交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
　　DDR SDRAM：又簡稱DDR，是“雙倍速率SDRAM”的意思，由於它可以在時鐘觸發沿的上 下沿都能進行數據傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/S。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標准。它仍然可以沿用現有SDRAM的生產體系，制造成本比SDRAM略高一些（約為10%左右）。
　　RDRAM：Direct Rambus DRAM（DRDRAM）“接口動態隨機存儲器”，這是Intel所推崇的未來內存的發展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率（不低於300MHz），但其數據通道接口帶寬較低，只有16bit，當工作時鐘為300MHz時，Rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸數據，因此它的數據傳輸率能達到300×16×2÷8=1.2GB/S，若是兩個通道，就是2.4GB/S。它與傳統DRAM的區別在於引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。其引腳數僅為普通DRAM的三分之一。當需要擴展芯片容量時，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。DRDRAM要求RIMM中必須都插滿，空余的插槽中必須插上傳接板（也叫終結器）。