DDR3內存和DDR2的區別

  第二導讀：/font>DDR1

  正文：

第二總結了DDR3內存和DDR2的區別，我們先來看一看技術規格對比表，從表中可以看到DDR3內存相對於DDR2內存，其實只是規格上的提高，並沒有真正的全面換代的新架構。

DDR1

DDR2

DDR3

電壓 VDD/VDDQ

2.5V/2.5V

1.8V/1.8V
(+/-0.1)

1.5V/1.5V
(+/-0.075)

I/O接口

SSTL_25

SSTL_18

SSTL_15

數據傳輸率(Mbps)

200～400

400～800

800～2000

容量標准

64M～1G

256M～4G

512M～8G

Memory Latency(ns)

15～20

10～20

10～15

CL值

1.5/2/2.5/3

3/4/5/6

5/6/7/8

預取設計(Bit)

2

4

8

邏輯Bank數量

2/4

4/8

8/16

突發長度

2/4/8

4/8

8

封裝

TSOP

FBGA

FBGA

引腳標准

184Pin DIMM

240Pin DIMM

240Pin DIMM

　　1、邏輯Bank數量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。

　　2、封裝（Packages）---

　　DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

　　3、突發長度（BL，Burst Length）